Основные характеристики
| Ядро | RV580 | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | | |
| Частота SPU | | МГц |
| Частота ядра | 625 | МГц |
| Частота памяти | 725 | МГц |
| Тип памяти | GDDR3 | |
| Объём памяти | 512 | Мбайт |
| Шина памяти | 256 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 16 | |
| Блоков растеризации (ROP) | - | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 90 | нм |
| Количество транзисторов | | млн |
| Площадь ядра | | мм2 |
| Пропускная способность памяти | 46,4 | Гбит/с |
| Fill Rate | 10 | МПикс/с |
| Fill Rate | н/д | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | | Вт |
| RAMDAC | 2x400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 | |
| Версия DirectX | 9.0с | |
| Версия ShaderModel | 3.0 | |
