Основные характеристики
| Ядро | GT215 | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | 96 | |
| Частота SPU | 1340 | МГц |
| Частота ядра | 550 | МГц |
| Частота памяти | 900 | МГц |
| Тип памяти | GDDR3 | |
| Объём памяти | 512 | Мбайт |
| Шина памяти | 128 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 32 | |
| Блоков растеризации (ROP) | 8 | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 40 | нм |
| Количество транзисторов | 727 | млн |
| Площадь ядра | 133 | мм2 |
| Пропускная способность памяти | 32 | Гбит/с |
| Fill Rate | 4400 | МПикс/с |
| Fill Rate | 17600 | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | 67 | Вт |
| RAMDAC | 2x400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 2.0 | |
| Версия DirectX | 10.1 | |
| Версия ShaderModel | 4.1 | |
