Основные характеристики
| Ядро | GT200 | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | 240 | |
| Частота SPU | 1270 | МГц |
| Частота ядра | 602 | МГц |
| Частота памяти | 1107 | МГц |
| Тип памяти | GDDR3 | |
| Объём памяти | 1024 | Мбайт |
| Шина памяти | 512 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 80 | |
| Блоков растеризации (ROP) | 32 | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 65 | нм |
| Количество транзисторов | 1400 | млн |
| Площадь ядра | | мм2 |
| Пропускная способность памяти | 140,8 | Гбит/с |
| Fill Rate | 19300 | МПикс/с |
| Fill Rate | 48200 | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | 230 | Вт |
| RAMDAC | 2x400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 | |
| Версия DirectX | 10 | |
| Версия ShaderModel | 4.0 | |
