Основные характеристики
| Ядро | GT215 | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | 96 | |
| Частота SPU | 1250 | МГц |
| Частота ядра | 500 | МГц |
| Частота памяти | 1000 | МГц |
| Тип памяти | DDR2 | |
| Объём памяти | 1024/1536 | Мбайт |
| Шина памяти | 128/1 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | | |
| Блоков растеризации (ROP) | | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 40 | нм |
| Количество транзисторов | 754 | млн |
| Площадь ядра | 260 | мм2 |
| Пропускная способность памяти | | Гбит/с |
| Fill Rate | 24000 | МПикс/с |
| Fill Rate | | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | 75 | Вт |
| RAMDAC | | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 2.0 | |
| Версия DirectX | 10 | |
| Версия ShaderModel | 4.0 | |
