Основные характеристики
Ядро | GT215 | |
Универсальных конвейеров (SPU) | 96 | |
Частота SPU | 1250 | МГц |
Частота ядра | 500 | МГц |
Частота памяти | 1000 | МГц |
Тип памяти | DDR2 | |
Объём памяти | 1024/1536 | Мбайт |
Шина памяти | 128/1 | бит |
Текстурных блоков (TMU) | | |
Блоков растеризации (ROP) | | |
Дополнительные характеристики
Технический процесс | 40 | нм |
Количество транзисторов | 754 | млн |
Площадь ядра | 260 | мм2 |
Пропускная способность памяти | | Гбит/с |
Fill Rate | 24000 | МПикс/с |
Fill Rate | | Мтекс/с |
Энергопотребление (Мин) | | Вт |
Энергопотребление (Макс) | 75 | Вт |
RAMDAC | | МГц |
Интерфейс | PCI-E x16 2.0 | |
Версия DirectX | 10 | |
Версия ShaderModel | 4.0 | |