Основные характеристики
Ядро | RV530/RV535 | |
Универсальных конвейеров (SPU) | | |
Частота SPU | | МГц |
Частота ядра | 600 | МГц |
Частота памяти | 1390 | МГц |
Тип памяти | GDDR3 | |
Объём памяти | 128/256 | Мбайт |
Шина памяти | 128 | бит |
Текстурных блоков (TMU) | 4 | |
Блоков растеризации (ROP) | - | |
Дополнительные характеристики
Технический процесс | 90/80 | нм |
Количество транзисторов | 157 | млн |
Площадь ядра | | мм2 |
Пропускная способность памяти | 13 | Гбит/с |
Fill Rate | 2400 | МПикс/с |
Fill Rate | 2400 | Мтекс/с |
Энергопотребление (Мин) | - | Вт |
Энергопотребление (Макс) | - | Вт |
RAMDAC | 2x400 | МГц |
Интерфейс | PCI-E x16 | |
Версия DirectX | 9.0с | |
Версия ShaderModel | 3.0 | |