Основные характеристики
| Ядро | RV530/RV535 | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | | |
| Частота SPU | | МГц |
| Частота ядра | 600 | МГц |
| Частота памяти | 700/400 | МГц |
| Тип памяти | GDDR3/GDDR2 | |
| Объём памяти | 256/512 | Мбайт |
| Шина памяти | 128 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 4 | |
| Блоков растеризации (ROP) | 8 | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 90/80 | нм |
| Количество транзисторов | 157 | млн |
| Площадь ядра | | мм2 |
| Пропускная способность памяти | 22.4 | Гбит/с |
| Fill Rate | 2400 | МПикс/с |
| Fill Rate | 2400 | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | | Вт |
| RAMDAC | 2x400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 / AGP x8 | |
| Версия DirectX | 9.0с | |
| Версия ShaderModel | 3.0 | |
