Основные характеристики
| Ядро | Heathrow | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | 640 | |
| Частота SPU | 575-725 | МГц |
| Частота ядра | 575-725 | МГц |
| Частота памяти | 2000/4500 | МГц |
| Тип памяти | DDR3/GDDR5 | |
| Объём памяти | 2048 | Мбайт |
| Шина памяти | 128 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 40 | |
| Блоков растеризации (ROP) | 16 | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 28 | нм |
| Количество транзисторов | 1500 | млн |
| Площадь ядра | | мм2 |
| Пропускная способность памяти | | Гбит/с |
| Fill Rate | | МПикс/с |
| Fill Rate | | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | | Вт |
| RAMDAC | 400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 3.0 | |
| Версия DirectX | 11.1 | |
| Версия ShaderModel | 5.0 | |
