Основные характеристики
| Ядро | GT200b | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | 216 | |
| Частота SPU | 1250 | МГц |
| Частота ядра | 576 | МГц |
| Частота памяти | 999 | МГц |
| Тип памяти | GDDR3 | |
| Объём памяти | 896 | Мбайт |
| Шина памяти | 448 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 72 | |
| Блоков растеризации (ROP) | 28 | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 55 | нм |
| Количество транзисторов | 1400 | млн |
| Площадь ядра | 576 | мм2 |
| Пропускная способность памяти | 112 | Гбит/с |
| Fill Rate | 41500 | МПикс/с |
| Fill Rate | 16100 | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | 170 | Вт |
| RAMDAC | 2x400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 | |
| Версия DirectX | 10 | |
| Версия ShaderModel | 4.0 | |
