Основные характеристики
| Ядро | RV635 | |
| Универсальных конвейеров (SPU) | 120 | |
| Частота SPU | 0,73 | МГц |
| Частота ядра | 725 | МГц |
| Частота памяти | 800 | МГц |
| Тип памяти | GDDR3 | |
| Объём памяти | 256-512 | Мбайт |
| Шина памяти | 128 | бит |
| Текстурных блоков (TMU) | 8 | |
| Блоков растеризации (ROP) | - | |
Дополнительные характеристики
| Технический процесс | 55 | нм |
| Количество транзисторов | | млн |
| Площадь ядра | | мм2 |
| Пропускная способность памяти | 25,6 | Гбит/с |
| Fill Rate | ? | МПикс/с |
| Fill Rate | н/д | Мтекс/с |
| Энергопотребление (Мин) | | Вт |
| Энергопотребление (Макс) | 75 | Вт |
| RAMDAC | 2x400 | МГц |
| Интерфейс | PCI-E x16 | |
| Версия DirectX | 10.1 | |
| Версия ShaderModel | 4.1 | |
